FDB050AN06A0
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDB050AN06A0 |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D2PAK (TO-263) |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (max) | 245W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Ta), 80A (Tc) |
FDB050AN06A0 Einzelheiten PDF [English] | FDB050AN06A0 PDF - EN.pdf |
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDB050AN06A0Fairchild Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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